Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > DMN1033UCB4-7
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5889362DMN1033UCB4-7 image.Diodes Incorporated

DMN1033UCB4-7

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$0.85
10+
$0.746
100+
$0.576
500+
$0.426
1000+
$0.341
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMN1033UCB4-7
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMN1033UCB4-7.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    -
  • Paket naprave za dobavitelja
    U-WLB1818-4
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    -
  • Moč - maks
    1.45W
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    4-UFBGA, WLBGA
  • Druga imena
    DMN1033UCB4-7DICT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    6 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    37nC @ 4.5V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Funkcija FET
    Logic Level Gate
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    -
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1.45W Surface Mount U-WLB1818-4
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    -

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMN1033UCB4-7".
DMN10H120SFG-7

DMN10H120SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H120SFG-13

DMN10H120SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H099SK3-13

DMN10H099SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 17A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

Opis: MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1029UFDB-7

DMN1029UFDB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H100SK3-13

DMN10H100SK3-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 18A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H099SFG-7

DMN10H099SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1016UCB6-7

DMN1016UCB6-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1053UCP4-7

DMN1053UCP4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 2.7A X3-DSN0808

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1019UVT-13

DMN1019UVT-13

Opis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H120SE-13

DMN10H120SE-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1054UCB4-7

DMN1054UCB4-7

Opis: MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1017UCP3-7

DMN1017UCP3-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 7.5A X3-DSN1010

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1045UFR4-7

DMN1045UFR4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1029UFDB-13

DMN1029UFDB-13

Opis: MOSFET 2N-CH 12V 5.6A 6UDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1032UCB4-7

DMN1032UCB4-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1019USN-13

DMN1019USN-13

Opis: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1019USN-7

DMN1019USN-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN10H099SFG-13

DMN10H099SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.2A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN1019UVT-7

DMN1019UVT-7

Opis: MOSFET N-CH 12V 10.7A TSOT26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.