Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Integriranih vezij (IC) > Spomin > W988D2FBJX6E TR
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6825669W988D2FBJX6E TR image.Winbond Electronics Corporation

W988D2FBJX6E TR

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
2500+
$2.944
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    W988D2FBJX6E TR
  • Proizvajalec / znamka
    Winbond Electronics Corporation
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    W988D2FBJX6E TR.pdf
  • Čas cikla pisanja -
    15ns
  • Napetost - oskrba
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnologija
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Paket naprave za dobavitelja
    90-VFBGA (8x13)
  • Serija
    -
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    90-TFBGA
  • Druga imena
    W988D2FBJX6E TR-ND
    W988D2FBJX6ETR
  • delovna temperatura
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Volatile
  • Velikost pomnilnika
    256Mb (8M x 32)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    DRAM
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • natančen opis
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frekvenca ure
    166MHz
  • Čas dostopa
    5.4ns

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "W988D2FBJX6E TR".
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D6FBGX7E

W988D6FBGX7E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D2FBJX6E

W988D2FBJX6E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D2HBJX7E

W987D2HBJX7E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D6FBGX7E TR

W988D6FBGX7E TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.