Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Integriranih vezij (IC) > Spomin > W987D2HBJX7E
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4504678W987D2HBJX7E image.Winbond Electronics Corporation

W987D2HBJX7E

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
240+
$2.755
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    W987D2HBJX7E
  • Proizvajalec / znamka
    Winbond Electronics Corporation
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    W987D2HBJX7E.pdf
  • Čas cikla pisanja -
    15ns
  • Napetost - oskrba
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnologija
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Paket naprave za dobavitelja
    90-VFBGA (8x13)
  • Serija
    -
  • Pakiranje
    Tray
  • Paket / primer
    90-TFBGA
  • delovna temperatura
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Volatile
  • Velikost pomnilnika
    128Mb (4M x 32)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    DRAM
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • natančen opis
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13)
  • Frekvenca ure
    133MHz
  • Čas dostopa
    5.4ns

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "W987D2HBJX7E".
W987D6HBGX6I

W987D6HBGX6I

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W9864G6KH-6 TR

W9864G6KH-6 TR

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W9864G6KH-5

W9864G6KH-5

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D2HBJX6I

W987D2HBJX6I

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D2FBJX6E

W988D2FBJX6E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D6HBGX6E

W987D6HBGX6E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D6HBGX7E TR

W987D6HBGX7E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W9864G6KH-5 TR

W9864G6KH-5 TR

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W9864G6KH-6I

W9864G6KH-6I

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D6HBGX6I TR

W987D6HBGX6I TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W9864G6KH-6I TR

W9864G6KH-6I TR

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D6HBGX6E TR

W987D6HBGX6E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D6HBGX7E

W987D6HBGX7E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D2HBJX6E TR

W987D2HBJX6E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D2FBJX6E TR

W988D2FBJX6E TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D2HBJX7E TR

W987D2HBJX7E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W9864G6KH-6

W9864G6KH-6

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D2HBJX6E

W987D2HBJX6E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
W987D2HBJX6I TR

W987D2HBJX6I TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Proizvajalci: Winbond Electronics Corporation
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.