Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > US1J/1
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3768069US1J/1 image.Vishay Semiconductor Diodes Division

US1J/1

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    US1J/1
  • Proizvajalec / znamka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
    1.US1J/1.pdf
    2.US1J/1.pdf
  • Voltage - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1A
  • Napetost - razčlenitev
    DO-214AC (SMA)
  • Serija
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odpornost @ Če, F
    -
  • Polarizacija
    DO-214AC, SMA
  • Druga imena
    Q1152372A
    US1J
    US1J-ND
    US1J/1/T
  • Delovna temperatura - spoj
    75ns
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Številka izdelka proizvajalca
    US1J/1
  • Razširjen opis
    Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Konfiguracija diode
    10µA @ 600V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1.7V @ 1A
  • Tok - Povprečna napetost (Io) (na diodo)
    600V
  • Capacitance @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "US1J/1".
US1GWF-7

US1GWF-7

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123F

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
US1JFA

US1JFA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
US1JHE3/61T

US1JHE3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
US1J M2G

US1J M2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
US1JHE3/5AT

US1JHE3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
US1JHE3_A/H

US1JHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
US1JDF-13

US1JDF-13

Opis: DIODE GEN PURPOSE 600V 1A DFLAT

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
US1J-TP

US1J-TP

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
US1J-13-F

US1J-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
US1J-13

US1J-13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SMA

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
US1JHM2G

US1JHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
US1JDFQ-13

US1JDFQ-13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DFLAT

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
US1J-E3/61T

US1J-E3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
US1JE-TP

US1JE-TP

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
US1JFL-TP

US1JFL-TP

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
US1JHE3_A/I

US1JHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
US1J-E3/5AT

US1J-E3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
US1J-M3/61T

US1J-M3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
US1J-M3/5AT

US1J-M3/5AT

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
US1J R3G

US1J R3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.