TPC8012-H(TE12L,Q)

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

TPC8012-H(TE12L,Q)
Proizvajalec / znamka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

1.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf
2.TPC8012-H(TE12L,Q).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

8-SOP (5.5x6.0)
Serija

π-MOSV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 900mA, 10V
Odmik moči (maks.)

1W (Ta)
Pakiranje

Original-Reel®
Paket / primer

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Druga imena

TPC8012-HDKR
TPC8012-HDKR-ND
TPC8012-HQDKR
TPC8012HTE12LQ
delovna temperatura

150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

440pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

200V
natančen opis

N-Channel 200V 1.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

Sledi izdelki, povezani z "TPC8012-H(TE12L,Q)".

TPC7.5AHM3_A/H

Opis: TVS DIODE SMPC TO-277A

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na zalogi

RFQ

TPC7.5AHM3_A/I

Opis: TVS DIODE 6.4V 11.3V TO277A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

TPC7.5HM3/87A

Opis: TVS DIODE 6.05V 11.7V TO277A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

TPC8.2AHM3_A/H

Opis: TVS DIODE SMPC TO-277A

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na zalogi

RFQ

TPC8022-H(TE12LQ,M

Opis: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RFQ

TPC8036-H(TE12L,QM

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RFQ

TPC8.2AHM3_A/I

Opis: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

TPC8.2AHM3/87A

Opis: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

TPC8033-H(TE12LQM)

Opis: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RFQ

TPC8014(TE12L,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RFQ

TPC7.5HM3/86A

Opis: TVS DIODE 6.05VWM 11.7VC SMPC

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na zalogi

RFQ

TPC8.2HM3/86A

Opis: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na zalogi

RFQ

TPC8018-H(TE12LQM)

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RFQ

TPC8026(TE12L,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RFQ

TPC8032-H(TE12LQM)

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RFQ

TPC8035-H(TE12L,QM

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RFQ

TPC8.2AHM3/86A

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division

Na zalogi

RFQ

TPC8.2HM3/87A

Opis: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

TPC8031-H(TE12LQM)

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RFQ

TPC8021-H(TE12LQ,M

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

TPC8012-H(TE12L,Q)

Zahtevaj ponudbo

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

TPC7.5AHM3_A/H

TPC7.5AHM3_A/I

TPC7.5HM3/87A

TPC8.2AHM3_A/H

TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8.2AHM3_A/I

TPC8.2AHM3/87A

TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC7.5HM3/86A

TPC8.2HM3/86A

TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8.2AHM3/86A

TPC8.2HM3/87A

TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8021-H(TE12LQ,M

Izberi jezik

Trenutni jezik