Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > TK7J90E,S1E
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5535011TK7J90E,S1E image.Toshiba Semiconductor and Storage

TK7J90E,S1E

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$3.11
25+
$2.504
100+
$2.254
500+
$1.753
1000+
$1.452
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    TK7J90E,S1E
  • Proizvajalec / znamka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 900V TO-3PN
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    TK7J90E,S1E.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 700µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-3P(N)
  • Serija
    π-MOSVIII
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2 Ohm @ 3.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    200W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Druga imena
    TK7J90E,S1E(S
    TK7J90ES1E
  • delovna temperatura
    150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1350pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    900V
  • natančen opis
    N-Channel 900V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    7A (Ta)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "TK7J90E,S1E".
TK7A45DA(STA4,Q,M)

TK7A45DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7A90E,S4X

TK7A90E,S4X

Opis: MOSFET N-CH 900V TO220SIS

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7575

TK7575

Opis: SAFETY TAPE KIT-INDUST VERSION

Proizvajalci: 3M
Na zalogi
RFQ
TK7E80W,S1X

TK7E80W,S1X

Opis: MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7Q60W,S1VQ

TK7Q60W,S1VQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7A60W,S4VX

TK7A60W,S4VX

Opis: MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK72E08N1,S1X

TK72E08N1,S1X

Opis: MOSFET N CH 80V 72A TO-220

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK750A60F,S4X

TK750A60F,S4X

Opis: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7S10N1Z,LQ

TK7S10N1Z,LQ

Opis: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7A50D(STA4,Q,M)

TK7A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7P65W,RQ

TK7P65W,RQ

Opis: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7A65D(STA4,Q,M)

TK7A65D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK72A12N1,S4X

TK72A12N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 120V 72A TO-220

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK72E12N1,S1X

TK72E12N1,S1X

Opis: MOSFET N CH 120V 72A TO-220

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7P60W,RVQ

TK7P60W,RVQ

Opis: MOSFET N CH 600V 7A DPAK

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7P60W5,RVQ

TK7P60W5,RVQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7A65W,S5X

TK7A65W,S5X

Opis: MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7P50D(T6RSS-Q)

TK7P50D(T6RSS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7A55D(STA4,Q,M)

TK7A55D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
TK7A60W5,S5VX

TK7A60W5,S5VX

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.