Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > R6030425HSYA
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5384002

R6030425HSYA

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
30+
$54.464
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    R6030425HSYA
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    2V @ 800A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    400V
  • Paket naprave za dobavitelja
    DO-205AB, DO-9
  • Hitrost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serija
    -
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    1µs
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Delovna temperatura - spoj
    -45°C ~ 150°C
  • Tip montaže
    Chassis, Stud Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    12 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 400V 250A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    50mA @ 400V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    250A
  • Capacitance @ Vr, F
    -
R6025FNZ1C9

R6025FNZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030835ESYA

R6030835ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6024KNZC8

R6024KNZC8

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6025FNZC8

R6025FNZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030222PSYA

R6030222PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6024KNZ1C9

R6024KNZ1C9

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030225HSYA

R6030225HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 250A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6030625HSYA

R6030625HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6030622PSYA

R6030622PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6030235ESYA

R6030235ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 200V 350A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6030825HSYA

R6030825HSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6030822PSYA

R6030822PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6030ENX

R6030ENX

Opis: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6025ANZC8

R6025ANZC8

Opis: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030422PSYA

R6030422PSYA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6024KNX

R6024KNX

Opis: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
R6030435ESYA

R6030435ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 400V 350A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi
R6030635ESYA

R6030635ESYA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Proizvajalci: Powerex, Inc.
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod