Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JANTXV1N5554US
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2928706

JANTXV1N5554US

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
100+
$22.299
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JANTXV1N5554US
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
    JANTXV1N5554US.pdf
  • Voltage - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    3A
  • Napetost - razčlenitev
    D-5B
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/420
  • RoHS Status
    Bulk
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odpornost @ Če, F
    -
  • Polarizacija
    SQ-MELF, B
  • Druga imena
    1086-19418
    1086-19418-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    2µs
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    14 Weeks
  • Številka izdelka proizvajalca
    JANTXV1N5554US
  • Razširjen opis
    Diode Standard 1000V (1kV) 3A Surface Mount D-5B
  • Konfiguracija diode
    1µA @ 1000V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 3A B-MELF
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1.3V @ 9A
  • Tok - Povprečna napetost (Io) (na diodo)
    1000V (1kV)
  • Capacitance @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JANTXV1N5554US".
JANTXV1N5552US

JANTXV1N5552US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5551

JANTXV1N5551

Opis: DIODE GEN PURP 400V 5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5613

JANTXV1N5613

Opis: TVS DIODE 175V 265V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5615

JANTXV1N5615

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5546DUR-1

JANTXV1N5546DUR-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO213AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5556

JANTXV1N5556

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5615US

JANTXV1N5615US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5553

JANTXV1N5553

Opis: DIODE GEN PURP 800V 5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5611

JANTXV1N5611

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5614

JANTXV1N5614

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5614US

JANTXV1N5614US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5546D-1

JANTXV1N5546D-1

Opis: DIODE ZENER 33V 500MW DO35

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5550US

JANTXV1N5550US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 5A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5555

JANTXV1N5555

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5550

JANTXV1N5550

Opis: DIODE GEN PURP 200V 5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5554

JANTXV1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5558

JANTXV1N5558

Opis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5612

JANTXV1N5612

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5551US

JANTXV1N5551US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JANTXV1N5552

JANTXV1N5552

Opis: DIODE GEN PURP 600V 5A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.