Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N6640US
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2595943

JAN1N6640US

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N6640US
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
    JAN1N6640US.pdf
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1V @ 300mA
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    50V
  • Paket naprave za dobavitelja
    D-5B
  • Hitrost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/609
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    4ns
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    SQ-MELF, B
  • Druga imena
    1086-20014
    1086-20014-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 175°C
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 50V 300mA Surface Mount D-5B
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    100nA @ 50V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    300mA
  • Capacitance @ Vr, F
    -

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N6640US".
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Opis: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Opis: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6639US

JAN1N6639US

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6642UB

JAN1N6642UB

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6642UB2R

JAN1N6642UB2R

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6640

JAN1N6640

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6642UB2

JAN1N6642UB2

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB2

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6639

JAN1N6639

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6642UBCC

JAN1N6642UBCC

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6642

JAN1N6642

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6641US

JAN1N6641US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6642UBD

JAN1N6642UBD

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6642U

JAN1N6642U

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA D5D

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6642UBCA

JAN1N6642UBCA

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6641

JAN1N6641

Opis: DIODE GEN PURP 50V 300MA AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.