Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N6629US
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1101890JAN1N6629US image.Microsemi

JAN1N6629US

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
100+
$21.377
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N6629US
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.4V @ 1.4A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    880V
  • Paket naprave za dobavitelja
    D-5B
  • Hitrost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    50ns
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    E-MELF
  • Druga imena
    1086-19990
    1086-19990-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 150°C
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tip diode
    Standard
  • natančen opis
    Diode Standard 880V 1.4A Surface Mount D-5B
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    2µA @ 880V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    1.4A
  • Capacitance @ Vr, F
    40pF @ 10V, 1MHz

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N6629US".
JAN1N6638U

JAN1N6638U

Opis: DIODE GEN PURP 150V 300MA B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6639

JAN1N6639

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6631

JAN1N6631

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6638US

JAN1N6638US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 300MA D-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6638

JAN1N6638

Opis: DIODE GEN PURP 150V 300MA AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

Opis: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6627U

JAN1N6627U

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6631US

JAN1N6631US

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1.4A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6631U

JAN1N6631U

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6627US

JAN1N6627US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.