Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N6622US
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1495460

JAN1N6622US

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N6622US
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Voltage - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.2A
  • Napetost - razčlenitev
    D-5A
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/585
  • RoHS Status
    Bulk
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odpornost @ Če, F
    10pF @ 10V, 1MHz
  • Polarizacija
    SQ-MELF, A
  • Druga imena
    1086-19963
    1086-19963-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    30ns
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Številka izdelka proizvajalca
    JAN1N6622US
  • Razširjen opis
    Diode Standard 660V 1.2A Surface Mount D-5A
  • Konfiguracija diode
    500nA @ 660V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 660V 2A D5A
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1.4V @ 1.2A
  • Tok - Povprečna napetost (Io) (na diodo)
    660V
  • Capacitance @ Vr, F
    -65°C ~ 150°C

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N6622US".
JAN1N6621U

JAN1N6621U

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.2A A-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Opis: TVS DIODE 14CDIP

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6623U

JAN1N6623U

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A A-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6622U

JAN1N6622U

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1.2A A-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

Opis: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6623US

JAN1N6623US

Opis: DIODE GEN PURP 880V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6622

JAN1N6622

Opis: DIODE GEN PURP 660V 2A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

Opis: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

Opis: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6621US

JAN1N6621US

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6623

JAN1N6623

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

Opis: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Opis: TVS DIODE 14CDIP

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6625

JAN1N6625

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.