Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Circuit Protection > TVS - Diode > JAN1N6476US
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3287162

JAN1N6476US

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
100+
$24.158
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N6476US
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
    JAN1N6476US.pdf
  • Napetost - povratni odklop (tip)
    51.6V
  • Voltage - Clamping (Max) @ Ipp
    78.5V
  • Napetost - razčlenitev (min)
    54V
  • Enosmerni kanali
    1
  • Tip
    Zener
  • Paket naprave za dobavitelja
    G-MELF (D-5C)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/552
  • Zaščita električnega voda
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    SQ-MELF, G
  • Druga imena
    1086-2297
    1086-2297-MIL
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    18 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tok - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    107A (8/20µs)
  • Zmogljivost @ Pogostost
    -
  • Aplikacije
    General Purpose

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N6476US".
JAN1N6474US

JAN1N6474US

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N649-1

JAN1N649-1

Opis: DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6472

JAN1N6472

Opis: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6509

JAN1N6509

Opis: TVS DIODE 14CDIP

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6620

JAN1N6620

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6621

JAN1N6621

Opis: DIODE GEN PURP 440V 2A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

Opis: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

Opis: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6620U

JAN1N6620U

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1.2A A-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6490

JAN1N6490

Opis: DIODE ZENER 5.1V 1.5W DO41

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6620US

JAN1N6620US

Opis: DIODE GEN PURP 220V 2A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6471US

JAN1N6471US

Opis: TVS DIODE 12V 22.6V GMELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

Opis: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6485US

JAN1N6485US

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1.5W D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6508

JAN1N6508

Opis: TVS DIODE 14CDIP

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N6490US

JAN1N6490US

Opis: DIODE ZENER 5.1V 1.5W D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

Opis: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.