Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Circuit Protection > TVS - Diode > JAN1N6109US
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2318190

JAN1N6109US

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N6109US
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    TVS DIODE 9.9V 19.11V B SQ-MELF
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
    JAN1N6109US.pdf
  • Napetost - povratni odklop (tip)
    9.9V
  • Voltage - Clamping (Max) @ Ipp
    19.11V
  • Napetost - razčlenitev (min)
    11.73V
  • Tip
    Zener
  • Paket naprave za dobavitelja
    B, SQ-MELF
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/516
  • Zaščita električnega voda
    No
  • Power - Peak Pulse
    500W
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    SQ-MELF, B
  • Druga imena
    1086-2156
    1086-2156-MIL
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tok - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    26.13A
  • Zmogljivost @ Pogostost
    -
  • Dvosmerni kanali
    1
  • Aplikacije
    General Purpose

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N6109US".
JAN1N6108US

JAN1N6108US

Opis: TVS DIODE 9.1V 17.75V B SQ-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6111A

JAN1N6111A

Opis: TVS DIODE 12.2V 22.3V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6112

JAN1N6112

Opis: TVS DIODE 13.7V 26.36V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6111AUS

JAN1N6111AUS

Opis: TVS DIODE 12.2V 22.3V B SQ-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6110AUS

JAN1N6110AUS

Opis: TVS DIODE 11.4V 21V B SQ-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6107US

JAN1N6107US

Opis: TVS DIODE 8.4V 16.38V B SQ-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6109A

JAN1N6109A

Opis: TVS DIODE 9.9V 18.2V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6111

JAN1N6111

Opis: TVS DIODE 12.2V 23.42V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6111US

JAN1N6111US

Opis: TVS DIODE 12.2V 23.42V B SQ-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6108A

JAN1N6108A

Opis: TVS DIODE 9.1V 16.9V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6108

JAN1N6108

Opis: TVS DIODE 9.1V 17.75V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6108AUS

JAN1N6108AUS

Opis: TVS DIODE 9.1V 16.9V B SQ-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6112A

JAN1N6112A

Opis: TVS DIODE 13.7V 25.1V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6109AUS

JAN1N6109AUS

Opis: TVS DIODE 9.9V 18.2V B SQ-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6109

JAN1N6109

Opis: TVS DIODE 9.9V 19.11V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6110A

JAN1N6110A

Opis: TVS DIODE 11.4V 21V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6107A

JAN1N6107A

Opis: TVS DIODE 8.4V 15.6V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6110US

JAN1N6110US

Opis: TVS DIODE 11.4V 22.05V B SQ-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6110

JAN1N6110

Opis: TVS DIODE 11.4V 22.05V AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N6107AUS

JAN1N6107AUS

Opis: TVS DIODE 8.4V 15.6V B SQ-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.