Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Circuit Protection > TVS - Diode > JAN1N5556
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2306777

JAN1N5556

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N5556
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    TVS DIODE 40.3V 63.5V DO13
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Podatkovni listi
    JAN1N5556.pdf
  • Napetost - povratni odklop (tip)
    40.3V
  • Voltage - Clamping (Max) @ Ipp
    63.5V
  • Napetost - razčlenitev (min)
    43.7V
  • Enosmerni kanali
    1
  • Tip
    Zener
  • Paket naprave za dobavitelja
    DO-13 (DO-202AA)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/500
  • Zaščita električnega voda
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    DO-13
  • Druga imena
    1086-15760
    1086-15760-MIL
  • delovna temperatura
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tok - Peak Pulse (10 / 1000μs)
    24A
  • Zmogljivost @ Pogostost
    -
  • Aplikacije
    General Purpose

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N5556".
JAN1N5553US

JAN1N5553US

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5558

JAN1N5558

Opis: TVS DIODE 175V 265V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5610

JAN1N5610

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.6V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5553

JAN1N5553

Opis: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5554US

JAN1N5554US

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 5A D5B

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5551

JAN1N5551

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5612

JAN1N5612

Opis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5552

JAN1N5552

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5551US

JAN1N5551US

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5611

JAN1N5611

Opis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5550US

JAN1N5550US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5614

JAN1N5614

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5615

JAN1N5615

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5552US

JAN1N5552US

Opis: DIODE GEN PURP 600V 3A B-MELF

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N5554

JAN1N5554

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 3A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5555

JAN1N5555

Opis: TVS DIODE 30.5V 47.5V DO13

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N5616

JAN1N5616

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.