Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > JAN1N3671R
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4611515

JAN1N3671R

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
100+
$57.399
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    JAN1N3671R
  • Proizvajalec / znamka
    Microsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje neusklajeno vodilo / RoHS
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.35V @ 38A
  • Napetost - DC vzvratno (Vr) (maks.)
    800V
  • Paket naprave za dobavitelja
    DO-203AA (DO-4)
  • Hitrost
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serija
    Military, MIL-PRF-19500/260
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Druga imena
    1086-16807
    1086-16807-MIL
  • Delovna temperatura - spoj
    -65°C ~ 150°C
  • Tip montaže
    Chassis, Stud Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Tip diode
    Standard, Reverse Polarity
  • natančen opis
    Diode Standard, Reverse Polarity 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    5µA @ 800V
  • Tok - Povprečni popravek (Io)
    12A
  • Capacitance @ Vr, F
    -

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "JAN1N3671R".
JAN1N3766

JAN1N3766

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3611

JAN1N3611

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3821CUR-1

JAN1N3821CUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3612

JAN1N3612

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N3647

JAN1N3647

Opis: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N3821AUR-1

JAN1N3821AUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3821C-1

JAN1N3821C-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3768

JAN1N3768

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N3768R

JAN1N3768R

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3644

JAN1N3644

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
RFQ
JAN1N3646

JAN1N3646

Opis: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3614

JAN1N3614

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3613

JAN1N3613

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
JAN1N3645

JAN1N3645

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.