Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > APT70GR65B2DU40
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6836536

APT70GR65B2DU40

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
90+
$8.299
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT70GR65B2DU40
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    650V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 70A
  • Test Condition
    433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    18ns/170ns
  • Paket naprave za dobavitelja
    T-MAX™ [B2]
  • Serija
    -
  • Moč - maks
    595W
  • Pakiranje
    Bulk
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    28 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    305nC
  • natančen opis
    IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    280A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    134A
APT68GA60B

APT68GA60B

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT6M100K

APT6M100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Opis: MOD DIODE 1700V SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR120L

APT70GR120L

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70SM70J

APT70SM70J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR120J

APT70GR120J

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Opis: MOD DIODE 1200V SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70SM70B

APT70SM70B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70SM70S

APT70SM70S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT66M60L

APT66M60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT70GR65B

APT70GR65B

Opis: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod