Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - moduli > APT60GA60JD60
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
834575APT60GA60JD60 image.Microsemi

APT60GA60JD60

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$33.09
10+
$30.612
30+
$28.13
100+
$26.144
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    APT60GA60JD60
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 600V 112A 356W SOT-227
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 62A
  • Paket naprave za dobavitelja
    ISOTOP®
  • Serija
    POWER MOS 8™
  • Moč - maks
    356W
  • Paket / primer
    SOT-227-4, miniBLOC
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • NTC termistor
    No
  • Tip montaže
    Chassis Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    28 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Cies) @ Vce
    8.01nF @ 25V
  • Vnos
    Standard
  • Vrsta IGBT
    PT
  • natančen opis
    IGBT Module PT Single 600V 112A 356W Chassis Mount ISOTOP®
  • Tok - odklop zbiralnika (maks.)
    275µA
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    112A
  • Konfiguracija
    Single
APT60DQ120BG

APT60DQ120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247

Proizvajalci: Microsemi Corporation
Na zalogi
APT60GF120JRDQ3

APT60GF120JRDQ3

Opis: IGBT 1200V 149A 625W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60GF60JU2

APT60GF60JU2

Opis: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60DS20HJ

APT60DS20HJ

Opis: MOD DIODE 200V SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60DF60HJ

APT60DF60HJ

Opis: POWER MOD DIODE 600V 90A SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60M60JLL

APT60M60JLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60GT60BRG

APT60GT60BRG

Opis: IGBT 600V 100A 500W TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60GF60JU3

APT60GF60JU3

Opis: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60M75JFLL

APT60M75JFLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60M75JVFR

APT60M75JVFR

Opis: MOSFET N-CH 600V 62A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60DQ100LCTG

APT60DQ100LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60DQ120LCTG

APT60DQ120LCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 1200V 60A TO264

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60DS10HJ

APT60DS10HJ

Opis: MOD DIODE 100V SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60M60JFLL

APT60M60JFLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60DQ100BG

APT60DQ100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60M75JLL

APT60M75JLL

Opis: MOSFET N-CH 600V 58A SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60DS04HJ

APT60DS04HJ

Opis: MOD DIODE 400V SOT-227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60GT60JR

APT60GT60JR

Opis: IGBT 600V 93A 378W SOT227

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60DQ60BG

APT60DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi
APT60DQ60BCTG

APT60DQ60BCTG

Opis: DIODE ARRAY GP 600V 60A TO247

Proizvajalci: Microsemi
Na zalogi

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod