Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > RS3E095BNGZETB
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4447776

RS3E095BNGZETB

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$0.88
10+
$0.767
100+
$0.592
500+
$0.438
1000+
$0.351
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    RS3E095BNGZETB
  • Proizvajalec / znamka
    LAPIS Technology
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    RS3E095BNGZETB.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SOP
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.6 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    2W (Tc)
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    RS3E095BNGZETBCT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    680pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 4.5V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 9.5A (Ta) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOP
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    9.5A (Ta)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "RS3E095BNGZETB".
RS3G-13-F

RS3G-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
RS3G-E3/9AT

RS3G-E3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS3DHE3_A/I

RS3DHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS3DHE3/57T

RS3DHE3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS3DHM6G

RS3DHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS3E075ATTB

RS3E075ATTB

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS3G M6G

RS3G M6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS3G V7G

RS3G V7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS3DB-13

RS3DB-13

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
RS3G-M3/9AT

RS3G-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS3G R7G

RS3G R7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS3DHR7G

RS3DHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Proizvajalci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na zalogi
RFQ
RS3G-13

RS3G-13

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A SMC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
RS3DHE3/9AT

RS3DHE3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS3G-E3/57T

RS3G-E3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS3D-M3/9AT

RS3D-M3/9AT

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS3E135BNGZETB

RS3E135BNGZETB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 9.5A 8SOP

Proizvajalci: LAPIS Semiconductor
Na zalogi
RFQ
RS3DHE3_A/H

RS3DHE3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS3G-M3/57T

RS3G-M3/57T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
RS3DB-13-F

RS3DB-13-F

Opis: DIODE GEN PURP 200V 3A SMB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.