Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > GP1M004A090H
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6587231GP1M004A090H image.Global Power Technologies Group

GP1M004A090H

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    GP1M004A090H
  • Proizvajalec / znamka
    SemiQ
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 900V 4A TO220
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    GP1M004A090H.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-220
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4 Ohm @ 2A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    123W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-220-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    955pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    25nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    900V
  • natančen opis
    N-Channel 900V 4A (Tc) 123W (Tc) Through Hole TO-220
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "GP1M004A090H".
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M006A065F

GP1M006A065F

Opis: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

Opis: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M005A040PG

GP1M005A040PG

Opis: MOSFET N-CH 400V 3.4A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M006A065CH

GP1M006A065CH

Opis: MOSFET N-CH 650V 5.5A DPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M005A050PH

GP1M005A050PH

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M005A050HS

GP1M005A050HS

Opis: MOSFET N-CH 500V 4A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M005A050FH

GP1M005A050FH

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Opis: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M005A050H

GP1M005A050H

Opis: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.