Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > GP1M003A050CG
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
503467

GP1M003A050CG

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    GP1M003A050CG
  • Proizvajalec / znamka
    SemiQ
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    GP1M003A050CG.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    D-Pak
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.8 Ohm @ 1.25A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    52W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    395pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.2nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    500V
  • natančen opis
    N-Channel 500V 2.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount D-Pak
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    2.5A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "GP1M003A050CG".
GP1M004A090FH

GP1M004A090FH

Opis: MOSFET N-CH 900V 4A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1L52VJ000F

GP1L52VJ000F

Opis: SENSOR OPTO SLOT 3MM DARL THRU

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP1M003A090C

GP1M003A090C

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1L57

GP1L57

Opis: PHOTOINTERRUPTER SLOT 10MM PCB

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP1M003A050HG

GP1M003A050HG

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1FSV51TK0F

GP1FSV51TK0F

Opis: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A050PG

GP1M003A050PG

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1FSV51TKVF

GP1FSV51TKVF

Opis: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP1M003A080CH

GP1M003A080CH

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A080H

GP1M003A080H

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A TO220

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1L52V

GP1L52V

Opis: PHOTOINTERRUPTER SLOT 3.0MM PCB

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP1M003A090PH

GP1M003A090PH

Opis: MOSFET N-CH 900V 2.5A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1L53V

GP1L53V

Opis: PHOTOINTERRUPTER SLOT 5.0MM PCB

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP1FV51TK0F

GP1FV51TK0F

Opis: TX FIBER OPTIC SQARE W/SHUTTER

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP1M003A040PG

GP1M003A040PG

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A080PH

GP1M003A080PH

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A IPAK

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1FSV51TKMF

GP1FSV51TKMF

Opis: OPTOELECTRONIC COMPONENT

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
GP1M003A050FG

GP1M003A050FG

Opis: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
GP1M003A080FH

GP1M003A080FH

Opis: MOSFET N-CH 800V 3A TO220F

Proizvajalci: Global Power Technologies Group
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.