SQJ416EP-T1_GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$0.39

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SQJ416EP-T1_GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 100V 27A POWERPAKSO
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SQJ416EP-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® SO-8
Serija

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

30 mOhm @ 10A, 10V
Odmik moči (maks.)

45W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® SO-8
Druga imena

SQJ416EP-T1_GE3TR
delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

100V
natančen opis

N-Channel 100V 27A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

27A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SQJ416EP-T1_GE3".

SQJ415EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 40V POWERPAK SO-8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ423EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 55A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ402EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ418EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 48A POWERPAKSO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ420EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ431EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 200V SO8L

Proizvajalci: Vishay Siliconix

Na zalogi

RFQ

SQJ443EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 40A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ411EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ412EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ422EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ446EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ409EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ444EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ403EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ431AEP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CHAN 200V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ414EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ410EP-T1_GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 32A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ433EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 75A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ407EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SQJ403BEEP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 30A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SQJ416EP-T1_GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

SQJ415EP-T1_GE3

SQJ423EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

SQJ418EP-T1_GE3

SQJ420EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1_GE3

SQJ443EP-T1_GE3

SQJ411EP-T1_GE3

SQJ412EP-T1_GE3

SQJ422EP-T1_GE3

SQJ446EP-T1_GE3

SQJ409EP-T1_GE3

SQJ444EP-T1_GE3

SQJ403EP-T1_GE3

SQJ431AEP-T1_GE3

SQJ414EP-T1_GE3

SQJ410EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

SQJ403BEEP-T1_GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik