SQ9407EY-T1_GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

2500+

$0.499

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SQ9407EY-T1_GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET P-CHANNEL 60V 4.6A 8SO
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SQ9407EY-T1_GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

8-SO
Serija

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 3.5A, 10V
Odmik moči (maks.)

3.75W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Druga imena

SQ9407EY-T1_GE3TR
delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TA)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

1140pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Vrsta FET

P-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

60V
natančen opis

P-Channel 60V 4.6A (Tc) 3.75W (Tc) Surface Mount 8-SO
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

4.6A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SQ9407EY-T1_GE3".

SIRA00DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

AON6410

Opis: MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN

Proizvajalci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Na zalogi

RFQ

5LN01SS-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

SIA810DJ-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC-70-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

IRL3103PBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

IRF40B207

Opis: MOSFET N-CH 40V 95A TO-220AB

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SUD50N03-06P-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 84A TO252

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

IRFR9120NTRPBF

Opis: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

NTMFS4927NT3G

Opis: MOSFET N-CH 30V 38A SO-8FL

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

NTD5865N-1G

Opis: MOSFET N-CH 60V 43A DPAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDP083N15A-F102

Opis: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

IRF1324SPBF

Opis: MOSFET N-CH 24V 195A D2-PAK

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

NTD80N02-001

Opis: MOSFET N-CH 24V 80A IPAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

SQ9945BEY-T1_GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 5.4A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

2SK3466(TE24L,Q)

Opis: MOSFET N-CH 500V 5A SC-97

Proizvajalci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na zalogi

RFQ

IRFPG30PBF

Opis: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

IPB65R310CFDAATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

STP5N95K5

Opis: MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220

Proizvajalci: STMicroelectronics

Na zalogi

RFQ

SQ9945AEY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

IXTT20P50P

Opis: MOSFET P-CH 500V 20A TO-268

Proizvajalci: IXYS Corporation

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SQ9407EY-T1_GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

SIRA00DP-T1-GE3

AON6410

5LN01SS-TL-H

SIA810DJ-T1-E3

IRL3103PBF

IRF40B207

SUD50N03-06P-E3

IRFR9120NTRPBF

NTMFS4927NT3G

NTD5865N-1G

FDP083N15A-F102

IRF1324SPBF

NTD80N02-001

SQ9945BEY-T1_GE3

2SK3466(TE24L,Q)

IRFPG30PBF

IPB65R310CFDAATMA1

STP5N95K5

SQ9945AEY-T1-E3

IXTT20P50P

Izberi jezik

Trenutni jezik