Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIR814DP-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
62727SIR814DP-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIR814DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIR814DP-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIR814DP-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® SO-8
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.1 mOhm @ 20A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    6.25W (Ta), 104W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    PowerPAK® SO-8
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    3800pF @ 20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    40V
  • natančen opis
    N-Channel 40V 60A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIR814DP-T1-GE3".
SIR800DP-T1-RE3

SIR800DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR770DP-T1-GE3

SIR770DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR820DP-T1-GE3

SIR820DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR826DP-T1-RE3

SIR826DP-T1-RE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR826ADP-T1-GE3

SIR826ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR840DP-T1-GE3

SIR840DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR800DP-T1-GE3

SIR800DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR812DP-T1-GE3

SIR812DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR826DP-T1-GE3

SIR826DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR838DP-T1-GE3

SIR838DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR774DP-T1-GE3

SIR774DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR802DP-T1-GE3

SIR802DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR844DP-T1-GE3

SIR844DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR798DP-T1-GE3

SIR798DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR788DP-T1-GE3

SIR788DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR804DP-T1-GE3

SIR804DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR846ADP-T1-GE3

SIR846ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIR808DP-T1-GE3

SIR808DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.