Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIHG17N80E-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2459125SIHG17N80E-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHG17N80E-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$6.27
10+
$5.595
100+
$4.588
500+
$3.715
1000+
$3.133
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIHG17N80E-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 800V 15A TO247AC
  • Status svobodnega statusa / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIHG17N80E-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-247AC
  • Serija
    E
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    290 mOhm @ 8.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    208W (Tc)
  • Paket / primer
    TO-247-3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    2408pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    122nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    800V
  • natančen opis
    N-Channel 800V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    15A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIHG17N80E-GE3".
SIHG14N50D-E3

SIHG14N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG16N50C-E3

SIHG16N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG21N65EF-GE3

SIHG21N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N60E-E3

SIHG22N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG21N60EF-GE3

SIHG21N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG17N60D-E3

SIHG17N60D-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG14N50D-GE3

SIHG14N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N60AEL-GE3

SIHG22N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHFS11N50A-GE3

SIHFS11N50A-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 11A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG20N50C-E3

SIHG20N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO247

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N50D-E3

SIHG22N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHFS9N60A-GE3

SIHFS9N60A-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG20N50E-GE3

SIHG20N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 19A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG050N60E-GE3

SIHG050N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG17N60D-GE3

SIHG17N60D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 17A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N60AE-GE3

SIHG22N60AE-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG11N80E-GE3

SIHG11N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG15N60E-GE3

SIHG15N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHG22N50D-GE3

SIHG22N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 22A TO-247AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.