Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIHD5N50D-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3690874SIHD5N50D-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD5N50D-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.22
10+
$1.08
100+
$0.854
500+
$0.662
1000+
$0.523
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIHD5N50D-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIHD5N50D-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-252AA
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    104W (Tc)
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Druga imena
    SIHD5N50D-GE3CT
    SIHD5N50D-GE3CT-ND
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    18 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    325pF @ 100V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    500V
  • natančen opis
    N-Channel 500V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252AA
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    5.3A (Tc)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIHD5N50D-GE3".
SIHD240N60E-GE3

SIHD240N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD6N65ET4-GE3

SIHD6N65ET4-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD6N65ET1-GE3

SIHD6N65ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHB8N50D-GE3

SIHB8N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 8.7A D2PAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD7N60E-E3

SIHD7N60E-E3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
SIHD12N50E-GE3

SIHD12N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 500V DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD6N62ET1-GE3

SIHD6N62ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO252AA

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD2N80E-GE3

SIHD2N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD5N50D-E3

SIHD5N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD4N80E-GE3

SIHD4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-252

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD6N65ET5-GE3

SIHD6N65ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD7N60E-GE3

SIHD7N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD6N80E-GE3

SIHD6N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD6N65E-GE3

SIHD6N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO252

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD6N62E-GE3

SIHD6N62E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 620V 6A TO-252

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD3N50D-GE3

SIHD3N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD14N60E-GE3

SIHD14N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 13A DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD3N50D-E3

SIHD3N50D-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIHD5N50D-GE3

SIHD5N50D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.