Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIB417DK-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
314023SIB417DK-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB417DK-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIB417DK-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIB417DK-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    52 mOhm @ 5.6A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Druga imena
    SIB417DK-T1-GE3TR
    SIB417DKT1GE3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    675pF @ 4V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    12.75nC @ 5V
  • Vrsta FET
    P-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.2V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    8V
  • natančen opis
    P-Channel 8V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIB417DK-T1-GE3".
SIB455EDK-T1-GE3

SIB455EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 9A SC-75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB437EDKT-T1-GE3

SIB437EDKT-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A SC-75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB412DK-T1-E3

SIB412DK-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB411DK-T1-E3

SIB411DK-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB441EDK-T1-GE3

SIB441EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB456DK-T1-GE3

SIB456DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.