Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SIB412DK-T1-E3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
375748SIB412DK-T1-E3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SIB412DK-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SIB412DK-T1-E3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SIB412DK-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    34 mOhm @ 6.6A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    PowerPAK® SC-75-6L
  • Druga imena
    SIB412DK-T1-E3TR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    535pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.16nC @ 5V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.8V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    N-Channel 20V 9A (Tc) 2.4W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Single
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SIB412DK-T1-E3".
SIB410DK-T1-GE3

SIB410DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 9A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB-130-02-F-S-LC

SIB-130-02-F-S-LC

Opis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Proizvajalci: Samtec, Inc.
Na zalogi
RFQ
SIB406EDK-T1-GE3

SIB406EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB419DK-T1-GE3

SIB419DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB-130-02-F-S

SIB-130-02-F-S

Opis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Proizvajalci: Samtec, Inc.
Na zalogi
RFQ
SIB415DK-T1-GE3

SIB415DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB417AEDK-T1-GE3

SIB417AEDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A PWRPACK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB417DK-T1-GE3

SIB417DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB413DK-T1-GE3

SIB413DK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB417EDK-T1-GE3

SIB417EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB-129-02-F-S-LC

SIB-129-02-F-S-LC

Opis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Proizvajalci: Samtec, Inc.
Na zalogi
RFQ
SIB408DK-T1-GE3

SIB408DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 7A PPAK SC75-6L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB422EDK-T1-GE3

SIB422EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A SC-75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB414DK-T1-GE3

SIB414DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB404DK-T1-GE3

SIB404DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 9A SC-75-6L

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB412DK-T1-GE3

SIB412DK-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB433EDK-T1-GE3

SIB433EDK-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SIB-129-02-F-S

SIB-129-02-F-S

Opis: .100 SINGLE INTERFACE BEAM ASSEM

Proizvajalci: Samtec, Inc.
Na zalogi
RFQ
SIB411DK-T1-E3

SIB411DK-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.