Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > SI7980DP-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2394705SI7980DP-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7980DP-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.792
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI7980DP-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI7980DP-T1-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    22 mOhm @ 5A, 10V
  • Moč - maks
    19.8W, 21.9W
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Druga imena
    SI7980DP-T1-GE3TR
    SI7980DPT1GE3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1010pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Funkcija FET
    Standard
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 8A 19.8W, 21.9W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    8A
  • Številka osnovnega dela
    SI7980

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI7980DP-T1-GE3".
SI7956DP-T1-E3

SI7956DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7998DP-T1-GE3

SI7998DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7980DP-T1-E3

SI7980DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7983DP-T1-E3

SI7983DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7983DP-T1-GE3

SI7983DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7997DP-T1-GE3

SI7997DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7994DP-T1-GE3

SI7994DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7972DP-T1-GE3

SI7972DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.