Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > SI7956DP-T1-E3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6378366SI7956DP-T1-E3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7956DP-T1-E3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$1.918
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI7956DP-T1-E3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI7956DP-T1-E3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 4.1A, 10V
  • Moč - maks
    1.4W
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    PowerPAK® SO-8 Dual
  • Druga imena
    SI7956DP-T1-E3TR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    33 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Funkcija FET
    Logic Level Gate
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    150V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    2.6A
  • Številka osnovnega dela
    SI7956

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI7956DP-T1-E3".
SI7949DP-T1-GE3

SI7949DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7972DP-T1-GE3

SI7972DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7945DP-T1-E3

SI7945DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7980DP-T1-E3

SI7980DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7964DP-T1-GE3

SI7964DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7956DP-T1-GE3

SI7956DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7964DP-T1-E3

SI7964DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7946DP-T1-E3

SI7946DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7948DP-T1-GE3

SI7948DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7960DP-T1-E3

SI7960DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7960DP-T1-GE3

SI7960DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7942DP-T1-E3

SI7942DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7946ADP-T1-GE3

SI7946ADP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7949DP-T1-E3

SI7949DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7958DP-T1-GE3

SI7958DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7958DP-T1-E3

SI7958DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7962DP-T1-E3

SI7962DP-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7945DP-T1-GE3

SI7945DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI7942DP-T1-GE3

SI7942DP-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.