Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

*ime podjetja
*Ime
*Naslov

*Email naslov
*Telefonska številka

*Država
*Kontaktno okno
*Datum dogodka

*Sporočilo

Za obiskovalce na Electronici 2024

Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.

Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI7129DN-T1-GE3

RFQs/naročilo (0)

Slovenija

Slovenija

2010456

SI7129DN-T1-GE3 image.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7129DN-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

3000+

$0.459

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI7129DN-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI7129DN-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

PowerPAK® 1212-8
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.4 mOhm @ 14.4A, 10V
Odmik moči (maks.)

3.8W (Ta), 52.1W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

PowerPAK® 1212-8
Druga imena

SI7129DN-T1-GE3-ND
SI7129DN-T1-GE3TR
SI7129DNT1GE3
delovna temperatura

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

27 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

3345pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V
Vrsta FET

P-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

P-Channel 30V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52.1W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Sorodne novice
Dostava
Plačilo

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

Dostava

Plačilo

Sledi izdelki, povezani z "SI7129DN-T1-GE3".

SI7119DN-T1-GE3

SI7119DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7143DP-T1-GE3

SI7143DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7138DP-T1-GE3

SI7138DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V D-S PPAK 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7123DN-T1-GE3

SI7123DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7136DP-T1-GE3

SI7136DP-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7120ADN-T1-GE3

SI7120ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7121DN-T1-GE3

SI7121DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 16A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7145DP-T1-GE3

SI7145DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7119DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 200V 3.8A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7138DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7139DP-T1-GE3

SI7139DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 40A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7120DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7137DP-T1-GE3

SI7137DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7120DN-T1-GE3

SI7120DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7117DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7141DP-T1-GE3

SI7141DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7136DP-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

SI7135DP-T1-GE3

SI7135DP-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.

Sledi nam

Pogoji uporabe Politika kršitve Zahtevajte ponudbo O nas Kontaktiraj nas Zemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.