Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI5402DC-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
6700331SI5402DC-T1-GE3 image.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI5402DC-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI5402DC-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI5402DC-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA (Min)
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    1206-8 ChipFET™
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 4.9A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    1.3W (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-SMD, Flat Lead
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    4.9A (Ta)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI5402DC-T1-GE3".
SI5403DC-T1-GE3

SI5403DC-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5411EDU-T1-GE3

SI5411EDU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5397M-A-GM

SI5397M-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI5414DC-T1-GE3

SI5414DC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5397K-A-GM

SI5397K-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI5406DC-T1-E3

SI5406DC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5401DC-T1-E3

SI5401DC-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5404BDC-T1-E3

SI5404BDC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5402DC-T1-E3

SI5402DC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5397J-A-GM

SI5397J-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI5404BDC-T1-GE3

SI5404BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5397L-A-GM

SI5397L-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI5402BDC-T1-E3

SI5402BDC-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5410DU-T1-GE3

SI5410DU-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 12A PPAK CHIPFET

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5415AEDU-T1-GE3

SI5415AEDU-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 25A CHIPFET

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5406DC-T1-GE3

SI5406DC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5401DC-T1-GE3

SI5401DC-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5397D-A-GM

SI5397D-A-GM

Opis: QUAD PLL JITTER ATTENUATOR WITH

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI5402BDC-T1-GE3

SI5402BDC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI5406CDC-T1-GE3

SI5406CDC-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.