SI4438DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI4438DY-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI4438DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

8-SO
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 20A, 10V
Odmik moči (maks.)

3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

4645pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

4.5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

30V
natančen opis

N-Channel 30V 36A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

36A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "SI4438DY-T1-GE3".

SI4442DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4438-B1C-FMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4446DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4438DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4447DY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4436DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4447ADY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4451DY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 10A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4446DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4438-C2A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4447DY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4448DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4442DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4436DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4438-B1C-FM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4435DYTR

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

SI4438-C2A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI4435FDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4448DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI4435DYTRPBF

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI4438DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

SI4442DY-T1-E3

SI4438-B1C-FMR

SI4446DY-T1-E3

SI4438DY-T1-E3

SI4447DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-E3

SI4447ADY-T1-GE3

SI4451DY-T1-E3

SI4446DY-T1-GE3

SI4438-C2A-GM

SI4447DY-T1-E3

SI4448DY-T1-E3

SI4442DY-T1-GE3

SI4436DY-T1-GE3

SI4438-B1C-FM

SI4435DYTR

SI4438-C2A-GMR

SI4435FDY-T1-GE3

SI4448DY-T1-GE3

SI4435DYTRPBF

Izberi jezik

Trenutni jezik