Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI4434ADY-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5618264

SI4434ADY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
2500+
$1.027
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4434ADY-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CHAN 250V SO-8
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4434ADY-T1-GE3.pdf
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    ThunderFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150 mOhm @ 2.8A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    2.9W (Ta), 6W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI4434ADY-GE3
    SI4434ADY-T1-GE3TR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    600pF @ 125V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16.5nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    7.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    250V
  • natančen opis
    N-Channel 250V 2.8A (Ta), 4.1A (Tc) 2.9W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Ta), 4.1A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4434ADY-T1-GE3".
SI4435DYTR

SI4435DYTR

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SI4432-B1-FMR

SI4432-B1-FMR

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4431-B1-FM

SI4431-B1-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4434DY-T1-GE3

SI4434DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4432-V2-FM

SI4432-V2-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4431-A0-FM

SI4431-A0-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4431BDY-T1-GE3

SI4431BDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4435DDY-T1-E3

SI4435DDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4434DY-T1-E3

SI4434DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 250V 2.1A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4431CDY-T1-GE3

SI4431CDY-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4432-B1-FM

SI4432-B1-FM

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4435DYPBF

SI4435DYPBF

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na zalogi
RFQ
SI4435DY

SI4435DY

Opis: MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
SI4431BDY-T1-E3

SI4431BDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4431-B1-FMR

SI4431-B1-FMR

Opis: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20-VFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4431CDY-T1-E3

SI4431CDY-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasNoviceZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.