Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI2351DS-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
23058

SI2351DS-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI2351DS-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI2351DS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    1W (Ta), 2.1W (Tc)
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Druga imena
    SI2351DS-T1-GE3CT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.1nC @ 5V
  • Vrsta FET
    P-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    2.5V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    P-Channel 20V 2.8A (Tc) 1W (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    2.8A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI2351DS-T1-GE3".
SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2366DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Proizvajalci: Vishay Siliconix
Na zalogi
RFQ
SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2356DS-T1-GE3

SI2356DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2341DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.