Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > SI2333DDS-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4265271

SI2333DDS-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.161
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI2333DDS-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI2333DDS-T1-GE3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Serija
    TrenchFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    28 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    1.2W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Druga imena
    SI2333DDS-T1-GE3TR
    SI2333DDST1GE3
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1275pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    35nC @ 8V
  • Vrsta FET
    P-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.5V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    12V
  • natančen opis
    P-Channel 12V 6A (Tc) 1.2W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI2333DDS-T1-GE3".
SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2333CDS-T1-E3

SI2333CDS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2337DS-T1-E3

SI2337DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2333CDS-T1-GE3

SI2333CDS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2331DS-T1-E3

SI2331DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2329DS-T1-GE3

SI2329DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 6A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2335DS-T1-GE3

SI2335DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2333DS-T1-E3

SI2333DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2327DS-T1-GE3

SI2327DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2337DS-T1-GE3

SI2337DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2328DS-T1-GE3

SI2328DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2335DS-T1-E3

SI2335DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2328DS-T1-E3

SI2328DS-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.15A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2334DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2327DS-T1-E3

SI2327DS-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2331DS-T1-GE3

SI2331DS-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI2333-TP

SI2333-TP

Opis: P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE

Proizvajalci: Micro Commercial Components (MCC)
Na zalogi
RFQ
SI2338DS-T1-GE3

SI2338DS-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A SOT23

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.