1200819

SI1046X-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI1046X-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI1046X-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

SC-89-3
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 606mA, 4.5V
Odmik moči (maks.)

250mW (Ta)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

SC-89, SOT-490
Druga imena

SI1046X-T1-GE3TR
SI1046XT1GE3
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

66pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.49nC @ 5V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

1.8V, 4.5V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

20V
natančen opis

N-Channel 20V 250mW (Ta) Surface Mount SC-89-3
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

-

Sledi izdelki, povezani z "SI1046X-T1-GE3".

SI1039X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1050X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1056X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1054X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1037X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1056X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1051X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1051X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1054X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1050X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1037X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1046R-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1058X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1046R-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1037-B-GM3

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI1040X-T1-GE3

Opis: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1058X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V SC89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1037-B-GM3R

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI1039X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1040X-T1-E3

Opis: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI1046X-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

SI1039X-T1-E3

SI1050X-T1-GE3

SI1056X-T1-E3

SI1054X-T1-GE3

SI1037X-T1-GE3

SI1056X-T1-GE3

SI1051X-T1-GE3

SI1051X-T1-E3

SI1054X-T1-E3

SI1050X-T1-E3

SI1037X-T1-E3

SI1046R-T1-E3

SI1058X-T1-E3

SI1046R-T1-GE3

SI1037-B-GM3

SI1040X-T1-GE3

SI1058X-T1-GE3

SI1037-B-GM3R

SI1039X-T1-GE3

SI1040X-T1-E3

Izberi jezik

Trenutni jezik