SI1050X-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

$0.62

10+

$0.521

100+

$0.391

500+

$0.287

1000+

$0.222

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

SI1050X-T1-GE3
Proizvajalec / znamka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 8V 1.34A SC-89-6
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

SI1050X-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±5V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

SC-89-6
Serija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

86 mOhm @ 1.34A, 4.5V
Odmik moči (maks.)

236mW (Ta)
Pakiranje

Cut Tape (CT)
Paket / primer

SOT-563, SOT-666
Druga imena

SI1050X-T1-GE3CT
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

33 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

585pF @ 4V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.6nC @ 5V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

1.5V, 4.5V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

8V
natančen opis

N-Channel 8V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

1.34A (Ta)

Sledi izdelki, povezani z "SI1050X-T1-GE3".

SI1054X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1046R-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1058X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.3A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1054X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 1.32A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1058X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V SC89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1060-A-GMR

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI1056X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 1.32A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1039X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 0.87A SC89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1060-A-GM

Opis: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 36-WFQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na zalogi

RFQ

SI1037X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1050X-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 8V 1.34A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1046X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1046R-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1040X-T1-E3

Opis: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1040X-T1-GE3

Opis: IC LOAD SW N/P-CH MOSFET SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1051X-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1051X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1037X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.77A SC89

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1039X-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 12V 0.87A SOT563F

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

SI1056X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V SC-89-6

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

SI1050X-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

SI1054X-T1-GE3

SI1046R-T1-GE3

SI1058X-T1-E3

SI1054X-T1-E3

SI1058X-T1-GE3

SI1060-A-GMR

SI1056X-T1-E3

SI1039X-T1-GE3

SI1060-A-GM

SI1037X-T1-GE3

SI1050X-T1-E3

SI1046X-T1-GE3

SI1046R-T1-E3

SI1040X-T1-E3

SI1040X-T1-GE3

SI1051X-T1-GE3

SI1051X-T1-E3

SI1037X-T1-E3

SI1039X-T1-E3

SI1056X-T1-GE3

Izberi jezik

Trenutni jezik