Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > ZXMN10A08GTA
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1943083ZXMN10A08GTA image.Diodes Incorporated

ZXMN10A08GTA

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1000+
$0.294
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    ZXMN10A08GTA
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 2A SOT223
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje skladno s svinecem / RoHS
  • Podatkovni listi
    ZXMN10A08GTA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    SOT-223
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    250 mOhm @ 3.2A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    2W (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-261-4, TO-261AA
  • Druga imena
    ZXMN10A08G
    ZXMN10A08GTR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    20 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    405pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    7.7nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    6V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    100V
  • natančen opis
    N-Channel 100V 2A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "ZXMN10A08GTA".
ZXMN10A07ZTA

ZXMN10A07ZTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A07FTC

ZXMN10A07FTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A25GTA

ZXMN10A25GTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10B08E6TA

ZXMN10B08E6TA

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A11GTC

ZXMN10A11GTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10B08E6TC

ZXMN10B08E6TC

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN0545G4TA

ZXMN0545G4TA

Opis: MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A11KTC

ZXMN10A11KTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

Opis: MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A08DN8TC

ZXMN10A08DN8TC

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A09KTC

ZXMN10A09KTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN0545FFTA

ZXMN0545FFTA

Opis: MOSFET N-CH 450V SOT23F-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A11GTA

ZXMN10A11GTA

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A08E6TC

ZXMN10A08E6TC

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A25K

ZXMN10A25K

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A11K

ZXMN10A11K

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A08DN8TA

ZXMN10A08DN8TA

Opis: MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A25KTC

ZXMN10A25KTC

Opis: MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
ZXMN10A08E6TA

ZXMN10A08E6TA

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.