Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMT8012LK3-13
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1895669DMT8012LK3-13 image.Diodes Incorporated

DMT8012LK3-13

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
2500+
$0.419
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMT8012LK3-13
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Vsebuje skladno s svinecem / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMT8012LK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-252
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17 mOhm @ 12A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    2.7W (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Druga imena
    DMT8012LK3-13DITR
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    24 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1949pF @ 40V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    80V
  • natančen opis
    N-Channel 80V 44A (Tc) 2.7W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    44A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMT8012LK3-13".
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Opis: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Opis: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Opis: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMT69M8LPS-13

DMT69M8LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Opis: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Opis: MOSFET 100V 108A TO220AB

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT69M8LFV-7

DMT69M8LFV-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 45A POWERDI3333

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Opis: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Opis: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Opis: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.