Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMT10H015LSS-13
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
2125219DMT10H015LSS-13 image.Diodes Incorporated

DMT10H015LSS-13

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.28
10+
$1.131
100+
$0.894
500+
$0.693
1000+
$0.547
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMT10H015LSS-13
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 8.3A
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMT10H015LSS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-SO
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 20A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    1.2W (Ta)
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    DMT10H015LSS-13DICT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    32 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    100V
  • natančen opis
    N-Channel 100V 8.3A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    8.3A (Ta)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMT10H015LSS-13".
DMT1D68K-F

DMT1D68K-F

Opis: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMT1D22K-F

DMT1D22K-F

Opis: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMT1D47K-F

DMT1D47K-F

Opis: CAP FILM 4700PF 10% 100VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMT10H015LFG-13

DMT10H015LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 10A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT1D68K

DMT1D68K

Opis: CAP FILM 6800PF 10% 100VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMT10H015LFG-7

DMT10H015LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 100V 10A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT10H010SPS-13

DMT10H010SPS-13

Opis: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT10H014LSS-13

DMT10H014LSS-13

Opis: MOSFET NCH 100V 8.9A 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT10H010LSS-13

DMT10H010LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 100V SO-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT1D1K-F

DMT1D1K-F

Opis: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMT1D33K

DMT1D33K

Opis: CAP FILM 3300PF 10% 100VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMT1D15K-F

DMT1D15K-F

Opis: CAP FILM 1500PF 10% 100VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMT10H010LPS-13

DMT10H010LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 9.4A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT1D22K

DMT1D22K

Opis: CAP FILM 2200PF 10% 100VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMT10H015LCG-13

DMT10H015LCG-13

Opis: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT1D1K

DMT1D1K

Opis: CAP FILM 1000PF 10% 100VDC RAD

Proizvajalci: Cornell Dubilier Electronics
Na zalogi
RFQ
DMT10H015LPS-13

DMT10H015LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 100V 7.3A

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT10H015LCG-7

DMT10H015LCG-7

Opis: MOSFET NCH 100V 9.4A 8VDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT10H025SSS-13

DMT10H025SSS-13

Opis: MOSFETN-CHAN 100V SO-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMT10H015LK3-13

DMT10H015LK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 100V 50A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.