Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMN3009LFV-13
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1564465

DMN3009LFV-13

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
3000+
$0.189
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMN3009LFV-13
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMN3009LFV-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    PowerDI3333-8
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5.5 mOhm @ 30A, 10V
  • Odmik moči (maks.)
    2W (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / primer
    8-PowerVDFN
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    20 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    2000pF @ 15V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    42nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    4.5V, 10V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    30V
  • natančen opis
    N-Channel 30V 60A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMN3009LFV-13".
DMN3005LK3-13

DMN3005LK3-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3L

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3007LSS-13

DMN3007LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3009LFVW-7

DMN3009LFVW-7

Opis: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3008SFGQ-13

DMN3008SFGQ-13

Opis: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3009SK3-13

DMN3009SK3-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3009LFV-7

DMN3009LFV-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3008SFG-13

DMN3008SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3010LFG-7

DMN3010LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3010LFG-13

DMN3010LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V POWERDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3009SFG-13

DMN3009SFG-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2990UFZ-7B

DMN2990UFZ-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3009SFG-7

DMN3009SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

Opis: MOSFET N-CH 20V 750MA X2DFN0604

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3008SFGQ-7

DMN3008SFGQ-7

Opis: MOSFET NCH 30V 17.6A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3008SFG-7

DMN3008SFG-7

Opis: MOSFET N-CH 30V 17.6A POWERDI

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3009SFGQ-7

DMN3009SFGQ-7

Opis: MOSFET N-CH 30VPOWERDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3008SCP10-7

DMN3008SCP10-7

Opis: MOSFET BVDSS: 25V 30V X4-DSN3415

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3009LFVW-13

DMN3009LFVW-13

Opis: MOSFETN-CHAN 30V POWERDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3009SFGQ-13

DMN3009SFGQ-13

Opis: MOSFETN-CH 30VPOWERDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN3007LSSQ-13

DMN3007LSSQ-13

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.