Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > DMN2016UTS-13
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
1367747

DMN2016UTS-13

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$0.73
10+
$0.616
100+
$0.462
500+
$0.339
1000+
$0.262
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMN2016UTS-13
  • Proizvajalec / znamka
    Diodes Incorporated
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    DMN2016UTS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-TSSOP
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14.5 mOhm @ 9.4A, 4.5V
  • Moč - maks
    880mW
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Druga imena
    DMN2016UTS-13DICT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    32 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    1495pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    16.5nC @ 4.5V
  • Vrsta FET
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
  • Funkcija FET
    Logic Level Gate
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 8.58A 880mW Surface Mount 8-TSSOP
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    8.58A
  • Številka osnovnega dela
    DMN2016U

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26

Grafična kartica NVIDIA RTX 5090 ima površino GPU 744 mm ...

2024/11/25

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "DMN2016UTS-13".
DMN2020LSN-7

DMN2020LSN-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.9A SC59

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 12.2A DFN2050-4

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2020UFCL-7

DMN2020UFCL-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2026UVT-7

DMN2026UVT-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2022UNS-13

DMN2022UNS-13

Opis: MOSFET 8V 24V POWERDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2023UCB4-7

DMN2023UCB4-7

Opis: MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2022UFDF-7

DMN2022UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2016LHAB-7

DMN2016LHAB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2026UVT-13

DMN2026UVT-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2022UFDF-13

DMN2022UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2011UTS-13

DMN2011UTS-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
DMN2022UNS-7

DMN2022UNS-7

Opis: MOSFET 2 N-CH 20V POWERDI3333-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.