Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > DMN2011UTS-13
Zahtevaj ponudbo
Slovenija
5814596

DMN2011UTS-13

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$0.211
10+
$0.207
30+
$0.204
100+
$0.201
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    DMN2011UTS-13
  • Proizvajalec / znamka
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
  • ECAD model
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    8-TSSOP
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 7A, 4.5V
  • Odmik moči (maks.)
    1.3W (Ta)
  • Pakiranje
    Cut Tape (CT)
  • Paket / primer
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Druga imena
    DMN2011UTS-13DICT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    28 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    2248pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    56nC @ 10V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    1.5V, 4.5V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    20V
  • natančen opis
    N-Channel 20V 21A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    21A (Tc)
DMN2013UFX-7

DMN2013UFX-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2011UFDE-7

DMN2011UFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2016LFG-7

DMN2016LFG-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2011UFDF-13

DMN2011UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2019UTS-13

DMN2019UTS-13

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2013UFDE-7

DMN2013UFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2011UFDF-7

DMN2011UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2015UFDF-13

DMN2015UFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2015UFDF-7

DMN2015UFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 15.2A UDFN2020-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2009LSS-13

DMN2009LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 12A 8-SOIC

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2015UFDE-7

DMN2015UFDE-7

Opis: MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2008LFU-13

DMN2008LFU-13

Opis: MOSFET 2NCH 20V 14.5A UDFN2030

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2011UFX-7

DMN2011UFX-7

Opis:

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2011UFDE-13

DMN2011UFDE-13

Opis: MOSFET N-CH 20V 11.7A SOT323

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2008LFU-7

DMN2008LFU-7

Opis: MOSFET 2N-CHA 20V 14.5A DFN2030

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
DMN2010UDZ-7

DMN2010UDZ-7

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 11A U-DFN2535-6

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi

Review (1)

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod