Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Integrirana vezja (ICS) > Spomin > AS4C8M32SA-6BIN
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5746559AS4C8M32SA-6BIN image.Alliance Memory, Inc.

AS4C8M32SA-6BIN

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$8.11
10+
$7.461
25+
$7.306
50+
$7.28
190+
$6.531
380+
$6.333
570+
$6.023
1140+
$5.812
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    AS4C8M32SA-6BIN
  • Proizvajalec / znamka
    Alliance Memory, Inc.
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    AS4C8M32SA-6BIN.pdf
  • Čas cikla pisanja -
    2ns
  • Napetost - oskrba
    3 V ~ 3.6 V
  • Tehnologija
    SDRAM
  • Paket naprave za dobavitelja
    90-TFBGA (8x13)
  • Serija
    -
  • Pakiranje
    Tray
  • Paket / primer
    90-TFBGA
  • Druga imena
    1450-1423
    AS4C8M32SA-6BIN-ND
  • delovna temperatura
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Volatile
  • Velikost pomnilnika
    256Mb (8M x 32)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    DRAM
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • natančen opis
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-TFBGA (8x13)
  • Frekvenca ure
    166MHz
  • Čas dostopa
    5ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "AS4C8M32SA-6BIN".
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4PD-M3/87A

AS4PD-M3/87A

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4PDHM3_A/H

AS4PDHM3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32SA-6BINTR

AS4C8M32SA-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32MSA-6BIN

AS4C8M32MSA-6BIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32SA-7BCNTR

AS4C8M32SA-7BCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4PD-M3/86A

AS4PD-M3/86A

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4PG-M3/86A

AS4PG-M3/86A

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
AS4PDHM3/86A

AS4PDHM3/86A

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na zalogi
RFQ
AS4PDHM3/87A

AS4PDHM3/87A

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.