Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Integriranih vezij (IC) > Spomin > AS4C8M32MSA-6BIN
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
609217AS4C8M32MSA-6BIN image.Alliance Memory, Inc.

AS4C8M32MSA-6BIN

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$6.06
10+
$5.529
25+
$5.424
50+
$5.387
190+
$4.832
380+
$4.814
570+
$4.513
1140+
$4.321
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    AS4C8M32MSA-6BIN
  • Proizvajalec / znamka
    Alliance Memory, Inc.
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA
  • Status svobodnega statusa / RoHS
  • Podatkovni listi
    AS4C8M32MSA-6BIN.pdf
  • Čas cikla pisanja -
    -
  • Napetost - oskrba
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnologija
    SDRAM - Mobile
  • Paket naprave za dobavitelja
    90-FBGA (8x13)
  • Serija
    -
  • Pakiranje
    Tray
  • Paket / primer
    90-VFBGA
  • Druga imena
    1450-1457
  • delovna temperatura
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Vrsta pomnilnika
    Volatile
  • Velikost pomnilnika
    256Mb (8M x 32)
  • Pomnilniški vmesnik
    Parallel
  • Format pomnilnika
    DRAM
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    8 Weeks
  • natančen opis
    SDRAM - Mobile Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 166MHz 5.5ns 90-FBGA (8x13)
  • Frekvenca ure
    166MHz
  • Čas dostopa
    5.5ns

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "AS4C8M32MSA-6BIN".
AS4C8M16SA-6TCN

AS4C8M16SA-6TCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-6BINTR

AS4C8M32S-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-7BCNTR

AS4C8M32S-7BCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M16SA-7TCN

AS4C8M16SA-7TCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M16SA-7TCNTR

AS4C8M16SA-7TCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M16SA-7BCN

AS4C8M16SA-7BCN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M16SA-6TAN

AS4C8M16SA-6TAN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-6BIN

AS4C8M32S-6BIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M16SA-6TINTR

AS4C8M16SA-6TINTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M16SA-6TANTR

AS4C8M16SA-6TANTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

AS4C8M32S-6TINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32MSA-6BINTR

AS4C8M32MSA-6BINTR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90FBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M16SA-6TCNTR

AS4C8M16SA-6TCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-6TIN

AS4C8M32S-6TIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32SA-6BIN

AS4C8M32SA-6BIN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M32S-7TCN

AS4C8M32S-7TCN

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M16SA-7BCNTR

AS4C8M16SA-7BCNTR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
AS4C8M16SA-6TIN

AS4C8M16SA-6TIN

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Proizvajalci: Alliance Memory, Inc.
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.