Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - IGBT - Posamezni > HGT1S10N120BNS
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3674819HGT1S10N120BNS image.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

HGT1S10N120BNS

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
800+
$3.605
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    HGT1S10N120BNS
  • Proizvajalec / znamka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    HGT1S10N120BNS.pdf
  • Napetost - razčlenitev kolektorjev kolektorja (maks.)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 10A
  • Test Condition
    960V, 10A, 10 Ohm, 15V
  • Td (vklop / izklop) @ 25 ° C
    23ns/165ns
  • Preklop energije
    320µJ (on), 800µJ (off)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-263AB
  • Serija
    -
  • Moč - maks
    298W
  • Pakiranje
    Tube
  • Paket / primer
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Druga imena
    HGT1S10N120BNS-ND
    HGT1S10N120BNSFS
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vrsta vnosa
    Standard
  • Vrsta IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    100nC
  • natančen opis
    IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
  • Trenutni - impulzni kolektor (Icm)
    80A
  • Tok - zbiralec (Ic) (maks.)
    35A
  • Številka osnovnega dela
    HGT1S10N120

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13

What is an embedded system?

2024/11/12
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "HGT1S10N120BNS".
HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL

Opis: IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S14N36G3VLT

HGT1S14N36G3VLT

Opis: IGBT 390V 18A 100W TO262AA

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S20N60C3S9A

HGT1S20N60C3S9A

Opis: IGBT 600V 45A 164W TO263AB

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS

Opis: IGBT 600V 54A 167W D2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S20N60A4S9A

HGT1S20N60A4S9A

Opis: IGBT 600V 70A 290W TO263AB

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGTG10N120BND

HGTG10N120BND

Opis: IGBT 1200V 35A 298W TO247

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S14N36G3VLS

HGT1S14N36G3VLS

Opis: IGBT 390V 18A 100W TO263AB

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S7N60C3DS9A

HGT1S7N60C3DS9A

Opis: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1N40N60A4D

HGT1N40N60A4D

Opis: IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1N30N60A4D

HGT1N30N60A4D

Opis: IGBT SMPS N-CHAN 600V SOT-227

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS

Opis: IGBT 380V 20A 150W TO263AB

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S2N120CN

HGT1S2N120CN

Opis: IGBT 1200V 13A 104W I2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST

Opis: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGTD3N60C3S9A

HGTD3N60C3S9A

Opis: IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

Opis: IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S7N60C3DS

HGT1S7N60C3DS

Opis: IGBT 600V 14A 60W TO263AB

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGTD7N60C3S9A

HGTD7N60C3S9A

Opis: IGBT 600V 14A 60W TO252AA

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S12N60A4S9A

HGT1S12N60A4S9A

Opis: IGBT 600V 54A 167W TO263AB

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A

Opis: IGBT 600V 17A 70W D2PAK

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
HGT1S7N60A4DS

HGT1S7N60A4DS

Opis: IGBT 600V 34A 125W TO263AB

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.