FDT1600N10ALZ

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi

4000+

$0.253

Povpraševanje na spletu

Specifikacije

Številka dela

FDT1600N10ALZ
Proizvajalec / znamka

AMI Semiconductor/onsemi
Količina zalog

Na zalogi
Opis

MOSFET N-CH 100V SOT-223-4
Status svobodnega statusa / RoHS

Brez svinca / RoHS
Podatkovni listi

FDT1600N10ALZ.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)
Paket naprave za dobavitelja

SOT-223-4
Serija

PowerTrench®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

160 mOhm @ 2.8A, 10V
Odmik moči (maks.)

10.42W (Tc)
Pakiranje

Tape & Reel (TR)
Paket / primer

TO-261-4, TO-261AA
Druga imena

FDT1600N10ALZTR
delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip montaže

Surface Mount
Raven občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)
Proizvajalec Standardni čas vodenja

26 Weeks
Status svobodnega statusa / RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.77nC @ 10V
Vrsta FET

N-Channel
Funkcija FET

-
Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)

5V, 10V
Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)

100V
natančen opis

N-Channel 100V 5.6A (Tc) 10.42W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C

5.6A (Tc)

Sledi izdelki, povezani z "FDT1600N10ALZ".

FDT461N

Opis: MOSFET N-CH 100V 0.54A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT86244

Opis: MOSFET N-CH 150V 2.8A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT55AN06LA0

Opis: MOSFET N-CH 60V 12.1A SOT223-4

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT86113LZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.3A SOT223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT439N

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT86102LZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 6.6A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT86106LZ

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.2A SOT-223-4

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT86256

Opis: MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT3N40TF

Opis: MOSFET N-CH 400V 2A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT3612

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT458P

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT434P

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223

Proizvajalci: Fairchild/ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC

Opis: COUPLING TRAY 4 SC UPC PIGS

Proizvajalci: 3M

Na zalogi

RFQ

FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA

Opis: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Proizvajalci: 3M

Na zalogi

RFQ

FDT86246

Opis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT457N

Opis: MOSFET N-CH 30V 5A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDT459N

Opis: MOSFET N-CH 30V 6.5A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

FDTC-08M-E-00N-00N-A

Opis: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Proizvajalci: 3M

Na zalogi

RFQ

FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN

Opis: FIBER DOME TERMINAL CLOSURES

Proizvajalci: 3M

Na zalogi

RFQ

FDT86246L

Opis: MOSFET N-CH 150V 2A SOT-223

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na zalogi

RFQ

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Vnaprejšnja registracija

FDT1600N10ALZ

Zahtevaj ponudbo

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

FDT461N

FDT86244

FDT55AN06LA0

FDT86113LZ

FDT439N

FDT86102LZ

FDT86106LZ

FDT86256

FDT3N40TF

FDT3612

FDT458P

FDT434P

FDTC-08M-COUPLINGTRAY-4SCUPC

FDTC-08M-E-00N-01C-A-04-EPNA

FDT86246

FDT457N

FDT459N

FDTC-08M-E-00N-00N-A

FDTC-08M-E-00N-01C-A-06-DANN

FDT86246L

Izberi jezik

Trenutni jezik