Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - nadomestna, MOSFETs - Posamezni > BS108ZL1G
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
3125393

BS108ZL1G

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    BS108ZL1G
  • Proizvajalec / znamka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    BS108ZL1G.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnologija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paket naprave za dobavitelja
    TO-92-3
  • Serija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 Ohm @ 100mA, 2.8V
  • Odmik moči (maks.)
    350mW (Ta)
  • Pakiranje
    Tape & Box (TB)
  • Paket / primer
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Druga imena
    BS108ZL1GOS
    BS108ZL1GOS-ND
    BS108ZL1GOSTB
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Through Hole
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    150pF @ 25V
  • Vrsta FET
    N-Channel
  • Funkcija FET
    -
  • Pogonska napetost (maksimalna Rds vključena, min Rds vključena)
    2V, 2.8V
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    200V
  • natančen opis
    N-Channel 200V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92-3
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    250mA (Ta)

Antropic prejme še 4 milijarde dolarjev naložbe od Amazon...

2024/11/23

SEMI: Prodaja IC se je v tretjem četrtletju povečala za 1...

2024/11/22

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "BS108ZL1G".
BS107P

BS107P

Opis: MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
BS107PSTOB

BS107PSTOB

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
BS12I

BS12I

Opis: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE

Proizvajalci: MPD (Memory Protection Devices)
Na zalogi
RFQ
BS120E0F

BS120E0F

Opis: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
BS108/01,126

BS108/01,126

Opis: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Proizvajalci: NXP Semiconductors / Freescale
Na zalogi
RFQ
BS12I-HD-24AWG

BS12I-HD-24AWG

Opis: SNAPS 9V 12" LEADS I-STYLE HD

Proizvajalci: MPD (Memory Protection Devices)
Na zalogi
RFQ
BS12T

BS12T

Opis: 9V SNAP T STYLE 12" WIRE LEADS

Proizvajalci: MPD (Memory Protection Devices)
Na zalogi
RFQ
BS107ARL1

BS107ARL1

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
BS107ARL1G

BS107ARL1G

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
BS107PSTZ

BS107PSTZ

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
BS108G

BS108G

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
BS12I-MC

BS12I-MC

Opis: SNAPS 9V 12" I-STYLE MOLDED

Proizvajalci: MPD (Memory Protection Devices)
Na zalogi
RFQ
BS12I-NICAD

BS12I-NICAD

Opis: NICAD BATT 9V 3WIRE LEAD PL BODY

Proizvajalci: MPD (Memory Protection Devices)
Na zalogi
RFQ
BS12I-22

BS12I-22

Opis: 9V SNAP I STYLE 12" WIRE LEADS

Proizvajalci: MPD (Memory Protection Devices)
Na zalogi
RFQ
BS12T-HD

BS12T-HD

Opis: 9V HD SNAP T STYLE 12" WIRE LEAD

Proizvajalci: MPD (Memory Protection Devices)
Na zalogi
RFQ
BS108,126

BS108,126

Opis: MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54

Proizvajalci: NXP Semiconductors / Freescale
Na zalogi
RFQ
BS107PSTOA

BS107PSTOA

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3

Proizvajalci: Diodes Incorporated
Na zalogi
RFQ
BS107G

BS107G

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92

Proizvajalci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na zalogi
RFQ
BS12T-MC

BS12T-MC

Opis: 9V SNAP T STYLE 12" WIRE W/COVER

Proizvajalci: MPD (Memory Protection Devices)
Na zalogi
RFQ
BS120

BS120

Opis: PHOTODIODE BLUE SENS 1.55MM SQ

Proizvajalci: Sharp Microelectronics
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.