Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Tranzistorji - FETs, MOSFETs - Arrays > SI4288DY-T1-GE3
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
4801255

SI4288DY-T1-GE3

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
1+
$1.43
10+
$1.276
25+
$1.211
100+
$0.995
250+
$0.93
500+
$0.822
1000+
$0.649
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    SI4288DY-T1-GE3
  • Proizvajalec / znamka
    Vishay / Siliconix
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    SI4288DY-T1-GE3.pdf
  • Napetost - preskus
    580pF @ 20V
  • Napetost - razčlenitev
    8-SO
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    20 mOhm @ 10A, 10V
  • Serija
    TrenchFET®
  • RoHS Status
    Cut Tape (CT)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.2A
  • Moč - maks
    3.1W
  • Polarizacija
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Druga imena
    SI4288DY-T1-GE3CT
  • delovna temperatura
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    24 Weeks
  • Številka izdelka proizvajalca
    SI4288DY-T1-GE3
  • Vhodni kapaciteti (Ciss) (Max) @ Vds
    15nC @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5V @ 250µA
  • Funkcija FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Razširjen opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO
  • Izpusti do izvorne napetosti (Vdss)
    Logic Level Gate
  • Opis
    MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
  • Tok - Neprekinjen odtok (Id) @ 25 ° C
    40V

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip napoveduje 500 odpuščanj, stroški prestrukturi...

2024/12/4

Kvanta: Povpraševanje AI je še naprej močno, z enakomern...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znatno zmanjšuje uporabo fotoresista v proizvodnji...

2024/12/2

Vishay bo vložil 51 milijonov funtov v pridobljeno NWF Waf...

2024/11/29

Trumpova tarifna grožnja, Nvidia, Intelovi dobavitelji pon...

2024/11/28

Intel bo prejel 7,86 milijarde ameriških dolarjev subvenci...

2024/11/27

AMD zažene gradnjo druge faze oblikovalskega centra Bangalore

2024/11/26
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "SI4288DY-T1-GE3".
SI4230DY-T1-GE3

SI4230DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4286DY-T1-GE3

SI4286DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4300-E-BM

SI4300-E-BM

Opis: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4300T-B-BM

SI4300T-B-BM

Opis: IC RF AMP 900MHZ 1.8GHZ 20LGA

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4311-B12-GM

SI4311-B12-GM

Opis: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4311-B21-GMR

SI4311-B21-GMR

Opis: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4311-B10-GM

SI4311-B10-GM

Opis: IC RX FSK 315/434MHZ 20VQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4312-B10-GM

SI4312-B10-GM

Opis: IC RX OOK 315/434MHZ 20VQFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4311-B12-GMR

SI4311-B12-GMR

Opis: IC RECEIVER RF 315/434MHZ 20QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4226DY-T1-GE3

SI4226DY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4214DDY-T1-GE3

SI4214DDY-T1-GE3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4311-B21-GM

SI4311-B21-GM

Opis: IC RECEIVER FSK 315/434MHZ 20QFN

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4300-EVB

SI4300-EVB

Opis: BOARD EVAL FOR SI4300

Proizvajalci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na zalogi
RFQ
SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
SI4310BDY-T1-E3

SI4310BDY-T1-E3

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 14SOIC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.