Za obiskovalce na Electronici 2024

Rezervirajte svoj čas zdaj!

Potrebno je le nekaj klikov, da si rezervirate svoje mesto in dobite vozovnico

Hall C5 Booth 220

Vnaprejšnja registracija

Za obiskovalce na Electronici 2024
Vsi se prijavite! Hvala, ker ste se dogovorili!
Ko bomo preverili vašo rezervacijo, vam bomo poslali vstopnice po e -pošti.
Domov > Izdelki > Diskretnih polprevodniških proizvodov > Diode - Rectifiers - Posamezni > BYG10MHE3/TR
RFQs/naročilo (0)
Slovenija
Slovenija
5326046BYG10MHE3/TR image.Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10MHE3/TR

Zahtevaj ponudbo

Prosimo, izpolnite vsa potrebna polja s svojimi kontaktnimi podatki. Klik "Pošlji RFQ" Kmalu vas bomo kontaktirali po e -pošti.Ali nam pošljite e -pošto:info@ftcelectronics.com

Referenčna cena (v ameriških dolarjih)

Na zalogi
7200+
$0.132
Povpraševanje na spletu
Specifikacije
  • Številka dela
    BYG10MHE3/TR
  • Proizvajalec / znamka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Količina zalog
    Na zalogi
  • Opis
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Status svobodnega statusa / RoHS
    Brez svinca / RoHS
  • Podatkovni listi
    1.BYG10MHE3/TR.pdf
    2.BYG10MHE3/TR.pdf
  • Voltage - Peak Reverse (Max)
    Avalanche
  • Napetost - naprej (Vf) (Max) @ Če
    1.5A
  • Napetost - razčlenitev
    DO-214AC (SMA)
  • Serija
    -
  • RoHS Status
    Tape & Reel (TR)
  • Povratni čas obnovitve (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odpornost @ Če, F
    -
  • Polarizacija
    DO-214AC, SMA
  • Delovna temperatura - spoj
    4µs
  • Tip montaže
    Surface Mount
  • Raven občutljivosti na vlago (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Proizvajalec Standardni čas vodenja
    14 Weeks
  • Številka izdelka proizvajalca
    BYG10MHE3/TR
  • Razširjen opis
    Diode Avalanche 1000V (1kV) 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Konfiguracija diode
    1µA @ 1000V
  • Opis
    DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A
  • Trenutna - povratna puščanja @ Vr
    1.15V @ 1.5A
  • Tok - Povprečna napetost (Io) (na diodo)
    1000V (1kV)
  • Capacitance @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

Poroča se, da bo Kioxia 22. novembra prejela odobritev sez...

2024/11/21

Najnovejša silicijeva optična platforma Tower Semiconduct...

2024/11/20

Industrija se počasi obnavlja.Epitaksialni dobavitelj IQE ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dobavitelj: Decembra bo dostavljeno veliko število kompone...

2024/11/18

Tajvan, izhodna vrednost Kitajskega polprevodnika se bo let...

2024/11/17

Razširitev proizvodnje OLED plošč, LG Display bo v Vietn...

2024/11/15

Amazon povečuje prizadevanja za ustvarjanje prilagojenih A...

2024/11/14

Čisti dobiček Pegatrona Q3 je znašal 4,296 milijarde USD...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Južna Koreja načrtuje sprejetje zakona o čipu, da bi pre...

2024/11/13
Dostava
Plačilo
Sledi izdelki, povezani z "BYG10MHE3/TR".
BYG10MHE3_A/I

BYG10MHE3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10MHE3/TR3

BYG10MHE3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na zalogi
RFQ
BYG10M-E3/TR

BYG10M-E3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10M-M3/TR

BYG10M-M3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10KHM3/TR

BYG10KHM3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na zalogi
RFQ
BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10MHM3/TR

BYG10MHM3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na zalogi
RFQ
BYG10KHM3_A/H

BYG10KHM3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10MHM3_A/H

BYG10MHM3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10KHE3_A/H

BYG10KHE3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10MHE3_A/H

BYG10MHE3_A/H

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10KHE3_A/I

BYG10KHE3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10KHM3/TR3

BYG10KHM3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na zalogi
RFQ
BYG10MHM3/TR3

BYG10MHM3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Proizvajalci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na zalogi
RFQ
BYG10Y-M3/TR

BYG10Y-M3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10MHM3_A/I

BYG10MHM3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10M-M3/TR3

BYG10M-M3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10Y-E3/TR3

BYG10Y-E3/TR3

Opis: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10Y-E3/TR

BYG10Y-E3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
BYG10KHM3_A/I

BYG10KHM3_A/I

Opis: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Proizvajalci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na zalogi
RFQ
Kot edini javni distributer odprtega trga imamo edinstveno kombinacijo globalnega dostopa, strokovnega znanja v proizvodni industriji in dokazane kakovosti.S tem lahko ustvarimo prilagojene rešitve dobavne verige od konca do konca za pridobivanje komponent elektronike in upravljanje zalog.
Sledi nam
Pogoji uporabePolitika kršitveZahtevajte ponudboO nasKontaktiraj nasZemljevid spletnega mesta

Izberi jezik

Kliknite prostor za izhod

Trenutni jezik

Izberite državo ali regijo.